В 1948 году Жорес Алферов переехал в Ленинград и поступил на факультет электронной техники ЛЭТИ. В 1952 году окончил вуз с отличием по специальности «Электровакуумная техника». Будучи студентом, Ж.И. Алферов принимал активное участие в деятельности студенческого строительного движения, которое набирало обороты. В 1949 г. участвовал в строительстве Красноборской ГЭС – одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.
Свой путь в науке Жорес Иванович начал еще в студенческие годы. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. В течение нескольких лет возглавлял студенческое научное общество (СНО) факультета электронной техники.
После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт. В качестве научного сотрудника лаборатории В.М. Тучкевича принимал участие в разработке первых советских транзисторов.
В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Сделанное им открытие гетеропереходов и новых физических явлений – «сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать новые, перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
Под научным руководством Жореса Ивановича Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, результатом которых стало создание фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций и сейчас являются одним из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.
Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах, которые позволяют существенно сэкономить электроэнергию. Жорес Иванович также занимался разработкой лазеров на основе квантовых точек, способных снизить их электропотребление лазеров.
На основе открытий Ж.И. Алферова появились технологии и устройства, без которых невозможна современная жизнь – лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, мобильные телефоны, устройства, детектирующие товарные ярлыки и многое другое.
В 1961 году Ж.И. Алферов защитил кандидатскую диссертацию. В 1970 году – доктор физико-математических наук.
В 2000 году Жоресу Ивановичу Алферову была присуждена Нобелевская премия по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.
Понимая неразрывную связь науки и образования, академик Ж.И. Алферов формировал систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.
Используя тесную связь с ЛЭТИ, Жорес Иванович Алферов в 1973 году создал и возглавлял на родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру оптоэлектроники в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой стали известные ученые. Ее основание стало началом деятельности академика по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создал физико-технический лицей, в 1988 г. – организовал физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН.
Являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по ее присуждению.
В 2010 году стал сопредседателем консультативного научного совета фонда «Сколково». В том же году в одном из интервью заявил:«В этой стране живется, безусловно, очень непросто. Но Россия — страна оптимистов, потому что все пессимисты уже уехали. У России есть будущее. И за него нужно бороться».
Академик Алферов — обладатель множества наград (в частности, ордена «За заслуги перед Отечеством» всех степеней), премий, почетных званий. Автор более 500 научных работ, более 50 изобретений.
Жорес Алферов скончался поздно вечером 1 марта 2019 года. Причиной смерти стала острая сердечно-легочная недостаточность.
Комментариев нет:
Отправить комментарий